SiC多晶的熱射流率分布均勻性評估

發(fā)布日期：2022-07-25      瀏覽次數(shù)：654

SiC多晶的熱射流率分布均勻性評估

測定了SiC多晶(陶瓷)的熱擴(kuò)散率分布，將燒結(jié)體微米量級的熱擴(kuò)散率分布可視化。此外，可以測量作為寬帶隙材料的 GaN 和金剛石。

各種材料的熱物理特性（熱導(dǎo)率/熱射流率）的分布測量已成為可能，分辨率為微米級。通過評估材料中的熱性能（導(dǎo)熱率/熱流出率）分布，可以預(yù)期高導(dǎo)熱材料的特性將得到顯著改善。



碳化硅材料導(dǎo)熱系數(shù) [Wm -1 K -1 ]

熱射流率 [Js -0.5 m -2 K -1 ]

4H-C 碳化硅44030,400

6H-C SiC單晶36628,100

碳化硅單晶27424,200

AlN的熱射流率分布評估

可以確認(rèn)，AlN 的壓痕部分的熱擴(kuò)散率低。



金屬玻璃的熱射流率分布評價

金屬玻璃的均勻性可以通過測量熱射流率的分布來確認(rèn)。