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日本napson非接觸型超低電阻范圍的電阻測(cè)量

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更新日期:2024-03-17

簡(jiǎn)要描述:

日本napson非接觸型超低電阻范圍的電阻測(cè)量PVE-80
非接觸型(脈沖電壓激勵(lì)法)超低電阻范圍的電阻測(cè)量系統(tǒng)
由于是使用脈沖電壓激勵(lì)法作為測(cè)量原理的非接觸電阻測(cè)量系統(tǒng),因此可以在不損壞樣品的情況下進(jìn)行測(cè)量。

日本napson非接觸型超低電阻范圍的電阻測(cè)量

日本napson非接觸型超低電阻范圍的電阻測(cè)量PVE-80

產(chǎn)品特點(diǎn)

  • 由于是使用脈沖電壓激勵(lì)法作為測(cè)量原理的非接觸電阻測(cè)量系統(tǒng),因此可以在不損壞樣品的情況下進(jìn)行測(cè)量。

  • 節(jié)省空間的設(shè)計(jì)主體外殼,便攜式可移動(dòng)平臺(tái)

  • 通過PC(軟件)進(jìn)行簡(jiǎn)單的測(cè)量操作,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和管理

  • 測(cè)量顯示單元可以根據(jù)應(yīng)用(薄層電阻,電導(dǎo)率,電導(dǎo)率)進(jìn)行更改

    *本產(chǎn)品使用由我公司與千葉大學(xué)聯(lián)合開發(fā)的脈沖電壓激勵(lì)方法(專li號(hào)5386394)。

測(cè)量規(guī)格

測(cè)量目標(biāo)

與新材料/功能材料相關(guān)(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)與
導(dǎo)電薄膜相關(guān)(金屬,ITO等)
與化合物半導(dǎo)體相關(guān)(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
其他(*查詢)請(qǐng)給我)

測(cè)量尺寸

?A4尺寸(W300 x D210mm)

測(cè)量范圍

50μ?1mΩ/平方

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